[发明专利]反应腔室及其刻蚀方法有效
| 申请号： | 202010322113.9 | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN111508802B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 简师节 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/02 | 分类号： | H01J37/02;H01J37/305;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;魏艳新 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种反应腔室，包括：腔体；主筒和主线圈，主筒位于腔体顶部，主线圈环绕主筒设置；副筒和副线圈，副筒位于腔体与主筒之间，副线圈环绕副筒设置；至少一个升降结构，升降结构与主线圈或副线圈连接，用于随工艺步骤的变化驱动主线圈或副线圈升降。本发明通过升降结构可以随工艺步骤的变化驱动主线圈或副线圈升降，有利于调整待加工工件表面的等离子体分布，从而提高刻蚀的均匀性。并且，在沉积步骤和刻蚀步骤之间，本发明实施例的反应腔室还可以利用升降结构驱动副线圈处于阻抗稳定的区域，避免引发等离子体的灭辉现象，改善刻蚀效果。本发明还提供一种应用于该反应腔室的刻蚀方法，同样可以改善刻蚀效果。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 及其 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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