[发明专利]反应腔室及其刻蚀方法

权利要求书

1.一种反应腔室，其特征在于，包括：

腔体；

主筒和主线圈，所述主筒位于所述腔体顶部，所述主线圈环绕所述主筒设置；

副筒和副线圈，所述副筒位于所述腔体与所述主筒之间，所述副线圈环绕所述副筒设置；

至少一个升降结构，所述升降结构与所述主线圈或所述副线圈连接，用于随工艺步骤的变化驱动所述主线圈或所述副线圈升降。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述升降结构包括：承载部、伸缩组件和驱动部，所述承载部用于承载所述主线圈或所述副线圈，所述伸缩组件的一端与所述承载部连接，所述伸缩组件的另一端与所述驱动部连接，所述驱动部用于驱动所述伸缩组件伸缩。

3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述伸缩组件包括螺纹杆和旋转套筒，所述螺纹杆的一端位于所述旋转套筒中，所述螺纹杆的另一端与所述承载部连接；所述旋转套筒内设置有与所述螺纹杆的外螺纹匹配的内螺纹；所述驱动部与所述旋转套筒的一端连接，用于驱动所述旋转套筒旋转，以使所述螺纹杆旋入或旋出。

4.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述驱动部包括壳体和位于所述壳体顶部的驱动端，所述伸缩组件与所述驱动端连接；

所述承载部与所述壳体之间设置有支撑部，所述支撑部的一端与所述壳体连接，另一端用于支撑所述承载部。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室还包括连接部，所述连接部用于将所述主线圈或所述副线圈与所述升降结构连接。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的反应腔室，其特征在于，所述副线圈呈环状，且环状的所述副线圈的内周面与所述副筒的外周面存在预设间距。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的反应腔室，其特征在于，所述升降结构的数量为多个，且多个所述升降结构与所述副线圈连接，多个所述升降结构沿所述副筒的周向均匀分布。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的反应腔室，其特征在于，所述副筒为垂直陶瓷筒。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的反应腔室，其特征在于，所述升降结构的数量为多个，且多个所述升降结构与所述主线圈连接，多个所述升降结构沿所述主筒的周向均匀分布。

10.一种应用于如权利要求1至9中任一项所述的反应腔室的刻蚀方法，所述刻蚀方法包括交替进行的沉积步骤和刻蚀步骤，所述沉积步骤包括：向所述反应腔室通入沉积气体，以在待加工工件待刻蚀的区域沉积保护层；所述刻蚀步骤包括：向所述反应腔室通入刻蚀气体，以对待加工工件待刻蚀的区域进行刻蚀；其特征在于，所述刻蚀方法还包括：

在所述沉积步骤和所述刻蚀步骤中，均控制所述主线圈到达第一初始工作位置，和/或均控制所述副线圈到达第二初始工作位置；

在所述沉积步骤和所述刻蚀步骤之间，控制所述主线圈到达第一切换工作位置，其中，所述第一切换工作位置高于所述第一初始工作位置，且低于所述主筒的顶端；和/或，

在所述沉积步骤和所述刻蚀步骤之间，控制所述副线圈到达第二切换工作位置，其中，所述第二切换工作位置高于所述第二初始工作位置，且低于所述副筒的顶端。