[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管共源共栅的无源动态偏置有效
| 申请号： | 202010317093.6 | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN111884042B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | J·E·纳特根斯 | 申请（专利权）人： | 升特股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H03K3/353 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 金辉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 驱动电路具有共源共栅排列的多个晶体管。无源偏置电路耦合到多个晶体管的第一晶体管的栅极端子。无源偏置电路具有耦合到电路节点以提供第一偏置信号的第一电阻器、耦合在电路节点和供电导体之间的第一电容器、耦合在电路节点和第一晶体管的漏极端子之间的第二电阻器、以及耦合在电路节点和第一晶体管的源极端子之间的第三电阻器。第二晶体管具有耦合用于接收控制光学器件的数据信号的栅极端子。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 共源共栅 无源 动态 偏置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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