[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010317069.2 | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN113540228A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 周钰杰;林琮翔 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;汤在彦 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体装置。半导体装置包括：基板；缓冲层，位于基板上；阻挡层，位于缓冲层上，其中通道区位于缓冲层中，且邻近于缓冲层与阻挡层的界面；掺杂化合物半导体层，位于一部分的阻挡层上；未掺杂的第一盖层，位于掺杂化合物半导体层上；栅极结构，位于未掺杂的第一盖层上；以及源极/漏极结构，分别位于栅极结构的两侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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