[发明专利]交叉点存储器及其制造方法

摘要

本发明大体上涉及集成电路装置，且特定来说，本发明涉及交叉点存储器阵列及其制造方法。在一个方面中，一种制造交叉点存储器阵列的方法包括：形成包含第一活性材料及所述第一活性材料上的第二活性材料的存储器单元材料堆叠，其中所述第一活性材料及所述第二活性材料中的一者包括存储材料且所述第一活性材料及所述第二活性材料中的另一者包括选择器材料。制造交叉点存储器阵列的所述方法进一步包括图案化所述存储器单元材料堆叠，其包含：蚀刻穿过所述存储器单元材料堆叠的所述第一活性材料及所述第二活性材料中的至少一者；在蚀刻穿过所述第一活性材料及所述第二活性材料中的所述一者之后，使保护衬垫形成于所述第一活性材料及所述第二活性材料中的所述至少一者的侧壁上；以及在使所述保护衬垫形成于所述第一活性材料及所述第二活性材料中的所述一者的所述侧壁上之后，进一步蚀刻所述存储器单元材料堆叠。