[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010311261.0 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN113540367B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 马兴远;徐威 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H10K85/20 | 分类号： | H10K85/20;H10K50/10;H10K50/115;H10K71/00;H10K101/40 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 方良 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。该量子点发光二极管包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间量子点发光层，所述阳极和所述量子点发光层之间还设置有空穴传输层，所述空穴传输层与所述阳极之间设置有电子吸收层，所述电子吸收层含有能吸收电子的材料。在空穴传输层靠近阳极的一侧设置含吸收电子的材料的电子吸收层，所以在空穴传输层和电子吸收层的界面处电子被电子吸收层吸收，同时在空穴传输层中产生等量的空穴，从而提高了空穴传输层中的载流子密度，这样可提高空穴传输层的空穴传输效率，使器件的电荷注入平衡得到改善，最终提高了器件的发光效率和寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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