[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。该量子点发光二极管包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间量子点发光层，所述阳极和所述量子点发光层之间还设置有空穴传输层，所述空穴传输层与所述阳极之间设置有电子吸收层，所述电子吸收层含有能吸收电子的材料。在空穴传输层靠近阳极的一侧设置含吸收电子的材料的电子吸收层，所以在空穴传输层和电子吸收层的界面处电子被电子吸收层吸收，同时在空穴传输层中产生等量的空穴，从而提高了空穴传输层中的载流子密度，这样可提高空穴传输层的空穴传输效率，使器件的电荷注入平衡得到改善，最终提高了器件的发光效率和寿命。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

基于量子点技术的发光二极管即量子点发光二极管(QLED)由于具有高度的可靠性、颜色可调、半峰宽窄、高色域、高饱和度、制备简单等优点，成为显示技术未来的主要发展方向。近几年，QLED技术已经获得了显著的发展，无论是在效率还是在寿命上都实现了很大的跨越，其中红绿色器件的性能已经达到了应用的要求，蓝色器件也不断取得进展。

QLED器件一开始主要是借鉴OLED器件的经验是发展起来的，由于无机量子点材料具有较深的能级，所以在电荷注入方面与OLED器件具有较大差异。通过采用氧化锌(ZnO)纳米颗粒作为电子传输层，极大地提高了QLED器件的电子注入效率。但是，由于量子点的价带能级较深，导致了较大的空穴注入势垒，影响了空穴注入的效率，导致量子点层的电荷注入不平衡，极大地制约了QLED器件的效率和寿命。

因此，现有技术有待改进。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有量子点发光二极管器件的空穴传输效率低，从而导致器件的电荷注入不平衡的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间量子点发光层，所述阳极和所述量子点发光层之间还设置有空穴传输层，所述空穴传输层与所述阳极之间设置有电子吸收层，所述电子吸收层含有能吸收电子的材料。

本发明提供的量子点发光二极管，在空穴传输层与阳极之间设置含有能吸收电子的材料的电子吸收层，所以在空穴传输层和电子吸收层的界面处电子被电子吸收层吸收，该电子吸收层吸收电子后，可同时在空穴传输层中产生等量的空穴，从而提高了空穴传输层中的载流子密度，这样可提高空穴传输层的空穴传输效率，使器件的电荷注入平衡得到改善，最终提高了器件的发光效率和寿命。

本发明另一方面提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：

提供阳极基板；

在所述阳极基板上制备含有能吸收电子的材料的电子吸收层；

在所述电子吸收层上制备空穴传输层；

在所述空穴传输层上依次层叠制备量子点发光层和阴极；

或者，

提供阴极基板，所述阴极基板上依次层叠制备量子点发光层、空穴传输层；

在所述空穴传输层上制备含有能吸收电子的材料的电子吸收层；

然后在所述电子吸收层上制备阳极。

本发明提供的量子点发光二极管的制备方法在空穴传输层靠近阳极的一侧制备含有能吸收电子的材料的电子吸收层，这样的吸收层可以提高了空穴传输层中的载流子密度，从而提高空穴传输层的空穴传输效率，使器件的电荷注入平衡得到改善，因此最终得到的量子点发光二极管器件具有很好的发光效率和寿命。

附图说明