[发明专利]电容器、半导体器件、电子设备及其制造方法在审
| 申请号： | 202010291407.X | 申请日： | 2020-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN113540347A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 金一球;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L21/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种圆筒形电容器结构及半导体器件，包括：半导体基底；位于半导体基底上的多个电容器，所述电容器包括下电极、介电层和上电极；位于所述下电极顶部上方的支撑物。本申请中的制造方法得到的电容器及半导体器件，能够在保证深宽比的同时，有效改善制造方法中发生的下电极的倾斜和塌陷的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 半导体器件 电子设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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