[发明专利]电容器、半导体器件、电子设备及其制造方法

权利要求书

1.一种圆筒形电容器结构，包括：

半导体基底；

位于半导体基底上的多个第一电容器，所述第一电容器包括下电极、第一介电层和第一上电极；

用于支撑所述下电极的支撑物，位于所述第一介电层的内壁和外壁。

2.根据权利要求1所述的电容器结构，其特征在于：

所述第一介电层的顶部高于所述下电极的顶部。

3.根据权利要求1所述的电容器结构，其特征在于：

所述第一上电极包括第一阻挡层和第一电极层；其中第一介电层的顶部高于第一阻挡层的顶部。

4.根据权利要求1所述的电容器结构，其特征在于：

还包括位于所述下电极侧壁外侧的第二介电层和第二上电极，所述下电极、第二介电层和第二上电极构成第二电容。

5.根据权利要求4所述的电容器结构，其特征在于：

所述第一上电极和所述第二上电极连通。

6.根据权利要求1所述的电容器结构，其特征在于：

所述第二上电极具有上小下大的机构，所述上小下大的转折面位于所述支撑物的高度范围内。

7.根据权利要求6所述的电容器结构，其特征在于：所述支撑物覆盖所述转折面。

8.根据权利要求1-7任意一项所述的电容器结构，其特征在于：

所述支撑物沿水平方向自所述下电极的侧壁顶部向下电极的内部和外侧两个方向延伸。

9.根据权利要求8任意一项所述的电容器结构，其特征在于：

所述支撑物覆盖于所述下电极和第一阻挡层的上方。

10.根据权利要求1-7任意一项所述的电容器结构，其特征在于：

所述支撑物包含氮化物材料；进一步的，所述氮化物材料包含SiN、SiCN、BN_x中的任意一种或两种以上的组合。

11.一种电容器结构的制造方法，其包括以下工艺步骤：

提供半导体基底，所述半导体基底上有牺牲模层；

在牺牲模层上形成支撑层；

刻蚀所述支撑层和所述牺牲模层上形成第一凹槽，所述第一凹槽与形成下电极的位置对应；

在所述第一凹槽中先后形成下电极层、第一介电层和第一上电极层，其中第一上电极包括第一阻挡层和第一电极层；

在所述第一介电层上方形成支撑盘，该支撑盘向下伸出内环和外环，内环位于所述第一阻挡层顶部，外环位于所述下电极层顶部；

将剩余的牺牲模层去除以形成第二凹槽；

在第二凹槽内形成第二介电层和第二上电极，第二上电极包括第二阻挡层和第二电极层。

12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于：所述在所述第一下电极上方形成支撑盘的步骤包括：

进行平坦化处理直到所述支撑层顶部露出；

进行选择性刻蚀将位于第一介电层两侧的下电极和第一阻挡层的顶部去除；

在整个半导体基底上填充支撑材料层；

刻蚀所述支撑材料层形成所述支撑盘。

13.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于：所述刻蚀所述支撑材料层形成所述支撑盘的步骤包括：

在所述支撑材料层上形成支撑盘形状的掩模；

刻蚀所述支撑材料层；

将掩模去除。

14.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于：在形成第二上电极之后，该方法进一步包括：

对所述第二上电极层进行CMP工艺至所述支撑盘露出；

对所述支撑盘进行回刻至所述支撑盘的顶部被去除；

填充第二上电极层材料。