[发明专利]立体存储器装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种立体存储器装置及其制造方法，立体内存存储器装置包括衬底、形成于衬底上的多个叠层结构、多个共同源极线接触窗与多个NOR闪存。衬底具有与一方向平行且交替排列的多条共同源极线与多个存储器单元区。叠层结构位于存储器单元区上并包括一接地选择线层以及一字线层。共同源极线接触窗则沿另一方向配置，以连接共同源极线。NOR闪存设于存储器单元区内，且每个NOR闪存至少包括穿过叠层结构的一外延柱、位于外延柱与字线层之间的一电荷捕捉层与位于电荷捕捉层与字线层之间的一高介电常数层。外延柱在穿过接地选择线层的部分具有内缩侧壁。