[发明专利]一种高精度硅基掩模版及其制备方法有效
| 申请号： | 202010279275.9 | 申请日： | 2020-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN113512698B | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 魏钰;周成刚;王秀霞;孙剑;何逸昭 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/24;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/44;C23C16/50;C23C16/56 |
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| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高精度硅基掩模版及其制备方法，方法包括以下步骤：在硅基底的正面设置保护层后再背面湿法刻蚀开窗，再正面干法刻蚀镂空图形，得到高精度硅基掩模版。本发明通过采取先湿法刻蚀开窗再干刻镂空图形的工艺顺序，可以避免在背面湿刻时破坏正面的精细图形，从而提高掩膜精度。本发明还能精确控制镂空窗口部分的硅层厚度，使得掩膜能够在保证机械强度的情况下尽可能提高掩膜图形的分辨率；并且在背面湿法开窗前在掩膜正面设置保护层，有效地保护了正面图形不被刻蚀液破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高精度 硅基掩 模版 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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