[发明专利]一种铜基吸光层薄膜及其制备方法、铜基薄膜太阳能电池有效
申请号: | 202010250951.X | 申请日: | 2020-04-01 |
公开(公告)号: | CN111416007B | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 罗艳红;郭林宝;孟庆波;石将建;李冬梅;吴会觉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01L31/0392 | 分类号: | H01L31/0392;H01L31/032;H01L31/072;H01L31/0749;H01L31/0445;H01L31/18 |
代理公司: | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人: | 白莉莉 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种铜基吸光层薄膜及其制备方法、铜基薄膜太阳能电池。该制备方法包括如下步骤:将金属单质、二硫醚化合物、硫醇化合物、氨/有机胺类化合物和溶剂混合并进行反应,获得金属‑硫醇盐配位化合物的前驱体溶液;将所述前驱体溶液在一基底上成膜,在预设温度下进行加热退火处理,获得吸光层前驱体薄膜;将所述吸光层前驱体薄膜进行硒化和/或硫化处理,获得铜基吸光层薄膜。根据本发明的方案,用来制备铜基吸光层薄膜的方法简单,避免了采用毒性大、不稳定和易爆炸的无水肼为溶剂,且基于该方法制备获得的铜基薄膜太阳能电池的光电转换效率为5‑16%。 | ||
搜索关键词: | 一种 铜基吸光层 薄膜 及其 制备 方法 太阳能电池 | ||
【主权项】:
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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