[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 202010221722.5 | 申请日： | 2020-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN111752093B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 翁明晖;訾安仁;张庆裕;林进祥;刘朕与 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;G03F7/09;G03F7/11 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在此提供一种用于形成半导体装置结构的方法。此方法包括形成材料层于基板之上，且形成光致抗蚀剂层于材料层之上。光致抗蚀剂层包括无机材料及辅助剂。无机材料包括多个金属核及多个第一连结基团，且第一连结基团键结至金属核。此方法包括曝光光致抗蚀剂层的一部分。光致抗蚀剂层包括曝光区域及未曝光区域。在曝光区域中，辅助剂与第一连结基团进行反应。此方法包括使用显影剂移除光致抗蚀剂层的未曝光区域，以形成经过图案化的光致抗蚀剂层。显影剂包括具有式(a)的基于酮的溶剂、或具有式(b)的基于酯的溶剂。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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