[发明专利]一种半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010218154.3 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN113451396B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 张乃千;裴轶 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/786;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括有源区和无源区；半导体器件还包括衬底、多层半导体层、源极、栅极和漏极，栅极位于源极和漏极之间；沿第一方向，栅极依次包括第一端部、中间部和第二端部，中间部、源极和漏极均位于有源区，第一端部和/或第二端部延伸至无源区；沿第二方向，至少位于无源区的第一端部和/或第二端部的延伸宽度大于中间部的延伸宽度。采用上述技术方案，通过设置至少位于无源区的第一端部和/或第二端部的延伸宽度较大，保证源漏两端拐角之间的栅极因光的衍射畸变较小或者不发生畸变，保证栅极结构稳定，性能稳定，进一步可以避免因栅极形变影响半导体器件的功率和频率，保证半导体器件性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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