[发明专利]一种改善大块六方相氮化硼单晶质量的方法有效
| 申请号： | 202010217437.6 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111334850B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 万能;张思源;赵小康;徐康;陈若望;施辉 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C30B9/10 | 分类号： | C30B9/10;C30B31/04;C30B29/38 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 唐循文 |
| 地址： | 210000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种改善大块六方相氮化硼单晶质量的方法，属于半导体材料制备技术领域。所述方法步骤如下：将六方氮化硼粉末或硼粉放入六方氮化硼坩埚中，然后将镍铬合金放至六方氮化硼粉末或者硼粉上方，掺入金单质，最后将六方氮化硼坩埚放入CVD管式炉加热温区；关闭CVD炉管两端进出气口法兰阀门，用真空泵将CVD炉管抽至真空，抽完关闭真空泵，通氮气流至常压，除尽炉管中空气，最后通入氮气流保护；高温加热样品至熔融并保持一段时间，然后缓慢降温，结束加热，自然冷却，取出样品。本发明所述方法步骤简单，效果显著，可以大幅改善毫米级别的大块氮化硼单晶的质量，能够显著降低单晶中沟槽的产生，大大改善所生长单晶的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 大块 六方相 氮化 硼单晶 质量 方法 | ||
【主权项】：
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