[发明专利]超结半导体装置及超结半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202010215833.5 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111952352A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 西村武义;前田凉;菅井勇 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张欣;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供即使在电荷平衡为“1”的状态下也能够抑制雪崩耐量降低的超结半导体装置及超结半导体装置的制造方法。半导体装置具有供电流流通的有源区(30)和终端结构部(40)。在第1导电型的半导体基板(1)的正面设置有第1导电型的第1半导体层(2)。在第1半导体层(2)的表面设置有在与正面平行的面中反复交替地配置有第1导电型的第1柱(3)和第2导电型的第2柱(4)的并列pn结构(20)。有源区(30)的第2柱(4)包含第1区域(41)和第2区域(42)，在第1区域(41)中，第2柱(4)的底面与半导体基板(1)的正面之间的距离比第2区域(42)中的第2柱(4)的底面与半导体基板(1)的正面之间的距离长。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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