[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 202010212472.9 | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN111798899B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 广津寿一;伊藤大贵 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419;G11C11/412 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 赵平;周永君 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置，本发明的SRAM，包含：P型井区域PW_1、PW_2，沿着第1方向延伸，形成有下拉用晶体管以及存取用晶体管；N型井区域NW，沿着第1方向延伸，形成有上拉用晶体管；第1金属配线M1，在N型井区域NW上沿着第1方向延伸，与N型井区域电气连接；以及第2金属配线M3，沿着与第1方向正交的第2方向延伸，与N型井区域NW内形成的一对上拉用晶体管的共同S/D区域电气连接。本发明所提供的半导体装置，能够将不同的电压施加在上拉用晶体管的源极与基极，并且改善写入存储单元的裕度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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