[发明专利]一种PECVD沉积非晶硅薄膜的方法在审
| 申请号： | 202010205348.X | 申请日： | 2020-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN113437183A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 樊选东 | 申请（专利权）人： | 中建材浚鑫科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L31/075;H01L21/02;C23C16/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种PECVD沉积非晶硅薄膜的方法，步骤如下：S1，以SiO2石英玻片为基板，先用洗洁剂反复擦洗，然后依次用去离子水、丙酮和无水乙醇各超声20min，采用氮气吹干；S2，夹装PI衬底到所述基板，使用PECVD设备制备正面本征非晶硅层，正面n型掺杂非晶硅层，中间i型掺杂非晶硅层，背面本征非晶硅厚度，背面p型掺杂非晶硅层；S3，磁控溅射沉积ITO薄膜，正背面ITO薄膜厚度为80nm；S4，丝网印刷正背面银金属电极，主栅宽度为0.1～2mm，主栅数目为2～20，正背面银副栅线宽度为20～70μm，线数为80～250；S5，固化烧结使金属与硅之间形成良好的欧姆接触；S6，进行电池的电性能测试，测量电池量产平均效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pecvd 沉积 非晶硅 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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