[发明专利]一种PECVD沉积非晶硅薄膜的方法

权利要求书

1.一种PECVD沉积非晶硅薄膜的方法，其特征在于，具体步骤如下：

S1，以SiO2石英玻片为基板，先用洗洁剂反复擦洗，然后依次用去离子水、丙酮和无水乙醇各超声20min，采用氮气吹干；

S2，夹装PI衬底到所述基板，使用PECVD设备制备正面本征非晶硅层，正面n型掺杂非晶硅层，中间i型掺杂非晶硅层，背面本征非晶硅厚度，背面p型掺杂非晶硅层；n、i、p层的厚度分别为20nm、300nm和10nm，沉积温度180～210℃；

S3，磁控溅射沉积ITO薄膜，正背面ITO薄膜厚度为80nm；

S4，丝网印刷正背面银金属电极，主栅宽度为0.1～2mm，主栅数目为2～20，正背面银副栅线宽度为20～70μm，线数为80～250；

S5，固化烧结使金属与硅之间形成良好的欧姆接触；

S6，进行电池的电性能测试，测量电池量产平均效率；

具体工艺参数为：

电极间距为16.5mm，基板真空度为4X 104Pa，衬底温度为200℃，射频功率为50W，反应气压为90～125Pa，气体总流量为28～60mL/min，反应时间为40min。

2.如权利要求1所述的一种PECVD沉积非晶硅薄膜的方法，其特征在于，所述步骤S2中沉积温度为190℃。

3.如权利要求1所述的一种PECVD沉积非晶硅薄膜的方法，其特征在于，所述步骤S4中主栅宽度为1.3mm，主栅数目为10，正背面银副栅线宽度为40μm，线数为170。