[发明专利]双面电容结构及其形成方法有效
| 申请号： | 202010199381.6 | 申请日： | 2020-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN113497037B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 胡文佳;吴晗;陆勇 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种双面电容结构及其形成方法。所述双面电容结构的形成方法包括如下步骤：提供一基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底内的多个电容触点、位于所述衬底表面的叠层结构、以及贯穿所述叠层结构并暴露所述电容触点的多个电容孔，所述叠层结构包括交替堆叠的牺牲层和支撑层；依次形成第一电极层、第一电介质层和第二电极层于所述电容孔的内壁；形成第一导电填充层于所述电容孔内；形成封闭所述电容孔的辅助层；去除部分所述辅助层、若干层所述支撑层和所述牺牲层，暴露所述第一电极层；形成第二电介质层和第三电极层。本发明减少甚至是避免了电极坍塌和倾覆的风险，同时还有助于增大双面电容结构的电容值。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 电容 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010199381.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
