[发明专利]一种离子注入角度的监测方法在审
| 申请号： | 202010191626.0 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113496905A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 卢合强;刘佑铭;平延磊;吴荘荘 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/265;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 266555 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种离子注入角度的监测方法，利用离子注入过程中存在的锥角效应及晶片的沟道效应，将晶片表面经过圆心的离子束扫描路径上的热波值与离子注入角度及晶片旋转角关联起来，通过对具有预设离子注入倾斜角及晶片旋转角的晶片进行离子注入，测量每片晶片表面经过圆心的离子束扫描路径上的热波值，进而推算出离子注入倾斜角偏差及晶片的晶格偏差，最终达到了有效监控离子注入机的离子注入角度准确性的目的。采用本发明的方法可将监测晶片的数量缩减至四片，大大简化监测过程，降低监测成本，同时本发明不仅排除了晶格偏差的干扰，更将严重影响监测结果的锥角效应及沟道效应转化为有利条件，从根本上提高了监测结果的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 角度 监测 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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