[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010190883.2 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113496948A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;纪世良;刘盼盼 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 518118 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法，该半导体器件的形成方法包括：在第一区、第二区和切割区上形成横跨鳍部的初始栅极结构；在初始栅极结构上形成具有掩模开口的掩膜层，掩模开口还延伸至与切割区相邻的鳍部上；以掩膜层为掩膜刻蚀掩模开口底部的部分初始栅极结构,以形成初始沟槽；在初始沟槽的侧壁形成侧墙；以侧墙和掩膜层为掩膜刻蚀初始沟槽底部的初始栅极结构，以使初始沟槽形成栅极切割沟槽，栅极切割沟槽将初始栅极结构分割为位于栅极切割沟槽两侧的栅极结构。采用上述方案，利用具有掩模开口的掩膜层限制初始沟槽的位置，利用侧墙限制栅极切割沟槽的位置，栅极切割沟槽不会发生位移，对两侧鳍部的应力相等，半导体器件的性能更好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
