[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区、第二区和位于所述第一区和所述第二区之间的切割区；

在所述半导体衬底的所述第一区和所述第二区上分别形成若干分立的鳍部；

在所述第一区、所述第二区和所述切割区上形成横跨所述鳍部的初始栅极结构；

在所述初始栅极结构上形成掩膜层,所述掩膜层中具有位于切割区上的掩模开口,且所述掩模开口还延伸至与所述切割区相邻的所述鳍部上；

以所述掩膜层为掩膜刻蚀所述掩模开口底部的部分所述初始栅极结构,在所述初始栅极结构中形成初始沟槽，所述初始沟槽的底面暴露出部分所述鳍部的顶面；

在所述初始沟槽的侧壁形成侧墙，且所述侧墙位于部分所述鳍部的顶部表面上；

以所述侧墙和所述掩膜层为掩膜刻蚀所述初始沟槽底部的所述初始栅极结构，以使所述初始沟槽形成栅极切割沟槽，所述栅极切割沟槽将所述初始栅极结构分割为位于所述栅极切割沟槽两侧的栅极结构。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：形成栅极切割沟槽之后，去除所述侧墙；去除所述侧墙之后，在所述栅极切割沟槽内形成栅极阻隔。

3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述初始栅极结构之前，在所述鳍部侧部的半导体衬底上形成隔离结构；形成所述初始栅极结构之后，所述初始栅极结构还位于所述隔离结构上；在去除所述侧墙之前，刻蚀栅极切割沟槽底部的部分厚度的隔离结构，在所述隔离结构的中形成隔离开口；所述栅极阻隔还形成在所述隔离开口中。

4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，通过各向异性干法刻蚀工艺刻蚀所述初始栅极结构以形成所述初始沟槽。

5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述以所述侧墙和所述掩膜层为掩膜刻蚀所述初始沟槽底部的所述初始栅极结构的工艺包括湿法刻蚀工艺。

6.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀所述栅极切割沟槽底部的部分厚度的所述隔离结构以形成所述隔离开口的方法包括：循环刻蚀。

7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料包括氮化硅或氧化硅。

8.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙的厚度为20埃至50埃。

9.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述初始沟槽的底面与所述鳍部的顶面齐平。

10.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述栅极阻隔的材料包括氮化硅或氧化硅。

11.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述隔离开口的深度为100埃至200埃。

12.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述栅极结构为金属栅极结构或者伪栅极结构。

13.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区、第二区和位于所述第一区和所述第二区之间的切割区；

位于所述半导体衬底的所述第一区和所述第二区上的若干分立的鳍部；

分别位于所述第一区和所述第二区上的横跨所述鳍部的栅极结构，位于所述切割区上的栅极切割沟槽，所述栅极切割沟槽暴露出相邻所述鳍部的一侧侧壁和顶面。

14.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，还包括：位于所述栅极切割沟槽顶部侧壁且位于部分所述鳍部的顶面上的侧墙。