[发明专利]一种测量半导体中杂质活化能的方法有效
| 申请号： | 202010182382.X | 申请日： | 2020-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN111366833B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 杨安丽;张新河;高博;陈施施;温正欣;张志新;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及半导体材料分析及检测技术，公开了一种测量半导体中杂质活化能的方法，拓展了时间分辨荧光光谱的应用场合。包括以下步骤：半导体中的杂质参与荧光辐射复合发光。获取杂质发光峰的波长及半峰宽；确定带通滤波片，确定激光激发强度，测定不同温度下对应发光峰的荧光强度衰减曲线，记录t＝0时刻探测器所得的荧光最大强度；对不同温度下探测器所测得的荧光最大强度和温度的倒数绘制阿累尼乌斯曲线进行线性拟合得到斜率后，乘以玻尔兹曼常数取得杂质的活化能。该方法利用变温时间分辨荧光光谱不仅可以获得温度依赖的载流子寿命的信息，而且可以求得杂质引入能级的活化能，简单方便，易操作，实验成本大幅降低同时运算效率大大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 半导体 杂质 活化能 方法 | ||
【主权项】：
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