[发明专利]三维存储器及其制备方法有效
| 申请号: | 202010172717.X | 申请日: | 2020-03-12 |
| 公开(公告)号: | CN111354730B | 公开(公告)日: | 2023-04-11 |
| 发明(设计)人: | 闾锦;雷涛 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号: | H10B41/30 | 分类号: | H10B41/30;H10B41/27;H10B43/30;H10B43/27 |
| 代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永强 |
| 地址: | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | 本申请公开了一种三维存储器及其制备方法。三维存储器包括衬底及位于衬底上的堆叠层,堆叠层设有贯穿堆叠层的若干沟道孔及若干栅极线狭缝,若干沟道孔与若干栅极线狭缝间隔设置,且若干栅极线狭缝将若干沟道孔分隔成多个间隔设置的区域;若干沟道孔内形成有存储结构,存储结构沿若干沟道孔轴向设置,且与衬底电性连接,若干栅极线狭缝内的填充结构与衬底绝缘连接。本申请提供的三维存储器避免了堆叠层与若干栅极线狭缝内填充结构的电性连接而导致漏电的情况,从而提高了三维存储器的良率及可靠性。 | ||
| 搜索关键词: | 三维 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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