[发明专利]射频器件及其形成方法有效
| 申请号： | 202010171430.5 | 申请日： | 2020-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN111354797B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 刘张李;朱慧龙 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 在本发明提供一种射频器件及其形成方法，所述射频器件包括，第一导电类型的半导体衬底；位于所述半导体衬底中的第二导电类型的第一阱区；位于所述半导体衬底中的第一导电类型的第二阱区，所述第二阱区位于所述第一阱区上；位于所述半导体衬底中的第二导电类型的第三阱区，所述第三阱区位于所述第二阱区上；位于所述半导体衬底中的第一导电类型的第四阱区，所述第四阱区位于所述第三阱区上；位于所述半导体衬底上的栅极结构，所述栅极结构位于所述第四阱区上。由此隔离所述栅极结构与所述半导体衬底之间的射频信号，从而减少所述射频信号的泄露，提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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