[发明专利]一种测试结构及半导体器件有效
| 申请号： | 202010171415.0 | 申请日： | 2020-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN111341834B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 汤志林;王卉;付永琴 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L23/58;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的一种测试结构及半导体器件，所述测试结构包括第一掺杂类型区和第二掺杂类型区，所述第一掺杂类型区包括至少一个掺杂深度的子区域，每个子区域具有至少一个第一有源区；所述第二掺杂类型区，包括至少一个掺杂深度的子区域，每个子区域具有至少一个第二有源区；所述第一掺杂类型区和所述第二掺杂类型区相邻设置，所述第一有源区和第二有源区串联，形成串联电路，并通过所述串联电路检测所述测试结构的电流。本发明通过将所述第一有源区和第二有源区集中设置在测试结构中，可以快速及时的监测出有源区电流短路的问题，还可以节约测试结构的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测试 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010171415.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种冰箱用发光门壳及其生产工艺
- 下一篇：射频器件的形成方法
- 同类专利
- 专利分类
