[发明专利]一种测试结构及半导体器件

权利要求书

1.一种测试结构，其特征在于，包括：

第一掺杂类型区，包括至少一个掺杂深度的子区域，每个所述子区域具有至少一个第一有源区；

第二掺杂类型区，包括至少一个掺杂深度的子区域，每个所述子区域具有至少一个第二有源区,其中，所述第一掺杂类型区的掺杂类型为P型，所述第二掺杂类型区的掺杂类型为N型，或者，所述第一掺杂类型区的掺杂类型为N型，所述第二掺杂类型区的掺杂类型为P型；

所述第一掺杂类型区和所述第二掺杂类型区相邻设置，所述第一有源区和第二有源区串联，形成串联电路，并通过所述串联电路检测所述测试结构的电流。

2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一掺杂类型区包括第一子区域、第二子区域和第三子区域，所述第一子区域、第二子区域和第三子区域通过浅沟槽隔离结构间隔。

3.如权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述第一子区域的第一有源区、第二子区域的第一有源区和第三子区域的第一有源区平行设置，且每个所述第一有源区之间通过浅沟槽隔离结构间隔开。

4.如权利要求3所述的测试结构，其特征在于，所述第一子区域中相邻的第一有源区平行设置，所述第二子区域中相邻的第一有源区平行设置，所述第三子区域中相邻的第一有源区平行设置，且每个所述第一有源区之间通过STI间隔开。

5.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第二掺杂类型区包括第四子区域、第五子区域和第六子区域，所述第四子区域、第五子区域和第六子区域通过浅沟槽隔离结构间隔。

6.如权利要求5所述的测试结构，其特征在于，所述第四子区域的第二有源区、第五子区域的第二有源区和第六子区域的第二有源区平行设置，且每个所述第二有源区之间通过浅沟槽隔离结构间隔开。

7.如权利要求6所述的测试结构，其特征在于，所述第四子区域中相邻的第二有源区平行设置，所述第五子区域中相邻的第二有源区平行设置，所述第六子区域中相邻的第二有源区平行设置，且每个所述第二有源区之间通过浅沟槽隔离结构间隔开。

8.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，还包括连接点，所述连接点设置在所述第一有源区和第二有源区上，所述第一有源区和第二有源区的通过连接所述连接点将所述第一有源区和第二有源区串联。

9.一种半导体器件，其特征在于，包括如权利要求1-8中任一项所述的测试结构。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，还包括功能结构，所述功能结构和测试结构相邻设置。