[发明专利]一种半导体行业低浓度含铜废水达标排放及高效沉降工艺

摘要

本发明是半导体行业低浓度含铜废水达标排放及高效沉降工艺，包括以下工艺步骤：1）低浓度含铜废水投加FeSO4溶液；2）斜板沉淀池底部管道混合器进口处投加氢氧化钙溶液，废水与斜板沉淀池回流的含钙改质污泥发生反应；3）加入重捕剂进行螯合反应；4）投加聚丙烯酰胺进行絮凝反应；5）污泥进入斜板沉淀池进行泥水分离，一部分污泥通过输送至污泥储槽，另一部分输送至管道混合器，进行第二步。本发明的优点：针对废水特性，采用FeSO4+重捕剂联合，减少用量，工艺简单，投资成本低廉，免去混凝剂投加，回流污泥添加氢氧化钙，含水率低、密度高，加快污泥沉降，提高斜板沉淀池表面负荷，减少占地面积，不需设置污泥浓缩池。