[发明专利]一种降低开关损耗的半导体结构及制造方法在审
| 申请号： | 202010163280.3 | 申请日： | 2020-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN111180521A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;杨卓;周锦程 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种降低开关损耗的半导体结构及制造方法。包括从下至上依次层叠设置的漏极、第一导电类型衬底和第一导电类型外延层；第一导电类型外延层中形成多个第二导电类型体区，多个第二导电类型体区间隔分布；第二导电类型体区中重掺杂形成第一导电类型第二源区，在所述第一导电类型第二源区一侧的第二导电类型体区中重掺杂形成第一导电类型第一源区；在相邻的第一导电类型第一源区和第一导电类型第二源区之间设有控制栅结构；在第一导电类型第二源区远离第一导电类型第一源区的一侧设有虚栅结构；在降低开关损耗的半导体结构上表面沉积绝缘介质层；在第一导电类型第一源区的中部位置处，从绝缘介质层的上表面向下开设形成连接孔，连接孔向下延伸至第一导电类型第一源区中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 开关 损耗 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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