[发明专利]热处理装置和成膜方法在审
申请号: | 202010160553.9 | 申请日: | 2020-03-10 |
公开(公告)号: | CN111719142A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 小原一辉;山口达也;菊池康晃;草岛龙司;名须川信也;菊池一行 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/56 | 分类号: | C23C16/56;C23C16/455 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明所要解决的技术问题在于:提供一种能够改善大流量处理中的温度均匀性的技术。本发明解决技术问题的方法在于:本发明的一个方式的热处理装置具有:多段收纳多个基板并进行处理的可减压的处理容器;对上述处理容器内的上述基板进行加热的第一加热器;向上述处理容器内的高度不同的位置供给气体的多个气体供给管;和设置于上述多个气体供给管中的向最下方位置供给气体的气体供给管并对上述气体进行加热的第二加热器。 | ||
搜索关键词: | 热处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的