[发明专利]半导体器件的表面处理方法有效
| 申请号： | 202010160147.2 | 申请日： | 2020-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN111405772B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 门松明珠 | 申请（专利权）人： | 昆山一鼎工业科技有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/06 | 分类号： | H05K3/06;H05K3/38;H01L21/48 |
| 代理公司： | 常州至善至诚专利代理事务所(普通合伙) 32409 | 代理人： | 蔡兴兵 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的表面处理方法，包括以下步骤：S1、对第一金属基材进行前处理；S2、在表面清洁的第一金属基材的至少一部分外表面电解析出第一镀层；S3、对第一镀层进行微蚀处理；S4、在经过步骤S3处理的第一镀层上设置感光膜，并对感光膜进行曝光和显影，非曝光区域与曝光区域中的一种对应的感光膜被溶解露出金属表面，而非曝光区域与曝光区域中的另一种对应的感光膜不能被溶解；S5、对露出第一镀层的区域进行电镀处理形成第二镀层；S6、除去非曝光区域与曝光区域中的另一种对应的感光膜；S7、对步骤S6得到的产品的第一金属基材与第一镀层的至少一部分进行蚀刻处理。该半导体器件的表面处理方法能够提高产品质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
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