[发明专利]半导体器件的表面处理方法

权利要求书

1.一种半导体器件的表面处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、对第一金属基材进行前处理，得到表面清洁的第一金属基材；

S2、在表面清洁的所述第一金属基材的至少一部分外表面电解析出第一镀层；

S3、对所述第一镀层进行微蚀处理以增加所述第一镀层的表面粗糙程度；

S4、在经过步骤S3处理的所述第一镀层上设置感光膜，并对所述感光膜进行曝光和显影，非曝光区域与曝光区域中的一种对应的感光膜被溶解露出金属表面，而非曝光区域与曝光区域中的另一种对应的感光膜不能被溶解；

S5、对露出所述第一镀层的区域进行电镀处理形成第二镀层；

S6、除去非曝光区域与曝光区域中的另一种对应的感光膜；

S7、对步骤S6得到的产品的所述第一金属基材与所述第一镀层的至少一部分进行蚀刻处理，所述第一金属基材与所述第一镀层的至少一部分包括所述第一金属基材的外表面与所述第二镀层错开设置的区域；

所述第一金属基材为连续带材，步骤S1至步骤S7中的至少一个步骤中所述第一金属基材能够沿其轴向连续活动；

经过步骤S1至S5得到所述第一金属基材的沿其长度方向的一侧自内向外依次设有所述第一镀层与所述第二镀层，所述方法还包括以下步骤：

沿所述第一金属基材的长度方向按设定距离将步骤S5得到的产品切断；

将所述第二镀层背向所述第一镀层所在位置的一端与线路板相连，所述线路板背向所述第一镀层所在位置的一侧的至少一部分设有第二金属基材；

将与所述线路板对应的所述第二金属基材重复所述步骤S1至步骤S5进行处理；

执行步骤S6和步骤S7，其中步骤S7中所述第一金属基材和与其对应的所述第一镀层全部被蚀刻，得到两面均设有所述第二镀层的线路板产品。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的表面处理方法，其特征在于，步骤S1包括对所述第一金属基材进行超声波脱脂处理、电解脱脂、酸化和水洗中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的表面处理方法，其特征在于，步骤S3中，溶剂选用甲酸与甲酸钠溶液的混合溶液。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的表面处理方法，其特征在于，步骤S4中，通过热压法将所述感光膜设于所述第一镀层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的表面处理方法，其特征在于，步骤S5中，所述第二镀层的数量为一层或多层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的表面处理方法，其特征在于，所述第一金属基材为铜或铜合金，所述第一镀层为铜第一镀层，所述第二镀层包括金属第二镀层和/或金属合金第二镀层。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的表面处理方法，其特征在于，所述金属第二镀层为金属镍、金属钯、金属银、金属金、金属锡、金属铱、金属铂或金属钌，所述金属合金第二镀层为镍钯、镍磷、镍钨、金镍、金钴、金锡、金银或铑钌。