[发明专利]功率器件、功率器件的制作方法在审
| 申请号： | 202010158090.2 | 申请日： | 2020-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN111370480A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 李东升;章剑锋;朱林佩 | 申请（专利权）人： | 瑞能半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L29/417;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 娜拉 |
| 地址： | 330052 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率器件、功率器件的制作方法，功率器件包括：衬底；外延层，位于所述衬底上，外延层包括漂移层，漂移层配置为第一导电类型；导柱，配置为第二导电类型，导柱位于外延层内；体区，配置为第二导电类型，体区位于外延层的背离衬底侧的表面，以及隔离层，配置为第一导电类型，隔离层位于体区与导柱之间，隔离层的掺杂浓度大于漂移层的掺杂浓度。根据本发明实施例的功率器件，隔离层的掺杂浓度大于漂移层的掺杂浓度，能够降低集电极与发射极之间的饱和电压，提高关断速度。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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