[发明专利]增强型和耗尽型的集成功率器件及其制作方法

摘要

本申请实施例提供的增强型和耗尽型的集成功率器件及其制作方法，包括衬底、形成于衬底上的增强型功率器件和耗尽型功率器件。增强型功率器件包括第一外延结构、通过第一次外延生长形成于第一外延结构上的P型氮化物层、第二次外延生长形成于第一外延结构的第一N型半导体层和第一P型半导体层。耗尽型功率器件包括第二外延结构、通过第二次外延生长形成于第二外延结构上的第二N型半导体层和第二P型半导体层。如此，基于二次外延生长形成的N型半导体层和P型半导体层的电荷平衡结构，优化了P型氮化物层在刻蚀后的界面态，获得优良的饱和电流特性，该电荷平衡结构可作为耗尽型功率器件的栅介质层，提升了耗尽型功率器件的栅稳定性。