[发明专利]一种常压烧结制备致密(HfZrTaNbTi)C高熵陶瓷烧结体的方法在审
| 申请号： | 202010150217.6 | 申请日： | 2020-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN111410536A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 殷杰;黄政仁;于多;姚秀敏;刘学建;陈忠明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/56 | 分类号： | C04B35/56;C04B35/653 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种常压烧结制备致密(HfZrTaNbTi)C高熵陶瓷烧结体的方法，包括：（1）选HfC粉体、ZrC粉体、TaC粉体、NbC粉体和TiC粉体作为原料，再加入粘结剂和溶剂混合，得到浆料；（2）将所得浆料干燥过筛或喷雾造粒，得到混合粉体；（3）将所得混合粉体经压制成型和真空脱粘后置于惰性气氛中，在2000～2250℃下常压烧结，得到所述高熵陶瓷烧结体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 常压 烧结 制备 致密 hfzrtanbti 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所，未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010150217.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种医用穿刺装置
- 下一篇：一种方便清洁的油水分离组件
