[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件在审
| 申请号： | 202010150082.3 | 申请日： | 2020-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN112447830A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 钱德拉谢卡尔·普拉卡什·萨万特;蔡家铭;陈明德;余典卫 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括设置在沟道区域上方的栅极结构和源极/漏极区域。栅极结构包括位于沟道区域上方的栅极介电层、位于栅极介电层上方的第一功函调整层、位于第一功函调整层上方的第一屏蔽层、第一阻挡层以及金属栅电极层。第一功函调整层由n型功函调整层组成并且包括铝。第一屏蔽层由选自由金属、金属氮化物、金属碳化物、硅化物、包含F、Ga、In、Zr、Mn和Sn中的一种或多种的层和含铝层组成的组中的至少一种制成，含铝层具有比第一功函调整层低的铝浓度。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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