[发明专利]太阳能电池的制造方法在审
| 申请号： | 202010149849.0 | 申请日： | 2020-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN111341880A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 殷涵玉;李宏伟;何胜;徐伟智;黄海燕;陆川 | 申请（专利权）人： | 浙江正泰太阳能科技有限公司;海宁正泰新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/311;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京元合联合知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11653 | 代理人： | 李非非 |
| 地址： | 310053 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种太阳能电池的制造方法，包括：对硅片进行制绒及扩散；在硅片的正面形成重掺杂区域并生成氧化层；利用酸性溶液去除硅片背面的硅磷玻璃并利用碱性溶液抛光；利用酸性溶液去除硅片正面的硅磷玻璃及重掺杂区域表面覆盖的氧化层；依次在硅片的背面沉积氧化铝膜、在硅片的正面沉积氮化硅减反射膜及在硅片的背面沉积氮化硅保护膜；利用激光去除硅片背面指定区域的叠层膜；印刷硅片两面的电极并烧结。该方法充分利用了臭氧的强氧化性，将LDSE电池在重掺杂区域的硅表面进行氧化，保护此区域在后续的碱抛光时不被腐蚀；同时，采用碱液可以进一步减少表面悬挂键密度，从而实现良好的背抛光，进而获得良好的电池性能，提升电池的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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