[发明专利]太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制造方法，其中，该太阳能电池的制造方法包括：

对硅片进行制绒及扩散；

在硅片的正面形成重掺杂区域并生成氧化层；

利用酸性溶液去除硅片背面的硅磷玻璃并利用碱性溶液抛光；

利用酸性溶液去除硅片正面的硅磷玻璃及重掺杂区域表面覆盖的氧化层；

依次在硅片的背面沉积氧化铝膜、在硅片的正面沉积氮化硅减反射膜及在硅片的背面沉积氮化硅保护膜；

利用激光去除硅片背面指定区域的叠层膜；

印刷硅片两面的电极并烧结。

2.如权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其中，所述在硅片的正面形成重掺杂区域并生成氧化层，包括：

将扩散后的硅片进行激光掺杂，将附着在硅片正面硅磷玻璃中的磷原子扩散至硅片内，以在栅线区域形成重掺杂区域；

利用臭氧气体对具有重掺杂区域的硅片进行氧化，以在重掺杂区域表面生成氧化层。

3.如权利要求2所述的太阳能电池的制造方法，其中，所述激光的波长为532纳米。

4.如权利要求2所述的太阳能电池的制造方法，其中，所述利用臭氧气体对具有重掺杂区域的硅片进行氧化，以在重掺杂区域表面生成氧化层，包括：

将具有重掺杂区域的硅片放置于臭氧浓度为20-350毫克/升的臭氧气氛中0.1-60秒，以在重掺杂区域表面生成厚度为1-5纳米的氧化层。

5.如权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其中，所述在硅片的正面形成重掺杂区域并生成氧化层，包括：

将硅片放置在含有臭氧的气氛中，利用激光将硅片正面硅磷玻璃中的磷原子扩散到硅片中，同时利用臭氧在激光掺杂后的硅片表面迅速氧化生成氧化层。

6.如权利要求5所述的太阳能电池的制造方法，其中，所述将硅片放置在含有臭氧的气氛中，利用激光将硅片正面硅磷玻璃中的磷原子扩散到硅片中，同时利用臭氧在激光掺杂后的硅片表面迅速氧化生成氧化层，包括：

将硅片放置于浓度为20-350毫克/升的臭氧气氛中，利用激光将硅片正面硅磷玻璃中的磷原子扩散到硅片中，同时利用臭氧在激光掺杂后的硅片表面迅速氧化生成厚度为1-25纳米的氧化层。

7.如权利要求5所述的太阳能电池的制造方法，其中，所述激光的波长为532纳米。

8.如权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其中，所述碱性溶液为TMAH溶液，所述TMAH溶液的浓度为1％-60％、温度为40℃-95℃。

9.如权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其中，所述酸性溶液为HF溶液，所述HF溶液的浓度为2％-20％。