[发明专利]硅基IV族合金条及其制备方法有效
| 申请号： | 202010148068.X | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN111312807B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 王楠;薛春来;成步文 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基Ⅳ族合金条及其制备方法，该硅基Ⅳ族合金条包括：衬底和衬底上的GeSn合金条，可实现直接带隙；其制备方法包括：清洗衬底；将清洗后的衬底送入真空生长腔室，进行脱氢脱氧处理；调节衬底温度；在衬底上共同沉积Ge原子和Sn原子，开始GeSn薄膜的外延；Sn原子和Ge原子在薄膜表面自自组装生成GeSn合金条。本发明提供的该硅基Ⅳ族合金条及其制备方法，形成的GeSn合金可以实现直接带隙，并且具有硅基兼容的特性，在硅基光源、探测器件和逻辑器件制作等方面具有极大的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基 iv 金条 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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