[发明专利]金属-绝缘体-金属器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010147423.1 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN112331770A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 施启元;张凯峯;黄士芬;廖彦杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L23/26 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一些实施例中，本发明涉及一种金属‑绝缘体‑金属(MIM)器件。金属‑绝缘体‑金属器件包含衬底，以及堆叠在衬底上方的第一电极和第二电极。介电层布置于第一电极与第二电极之间。此外，金属‑绝缘体‑金属器件包含安置于衬底上方且通过第一电极与介电层分离的钛吸气层。钛吸气层具有比介电层更高的吸氢能力。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘体 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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