[发明专利]鳍结构制作方法在审
| 申请号： | 202010138884.2 | 申请日： | 2020-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN111564413A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 姚周;刘厥扬;胡展源 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种其用于FinFET制作工艺的鳍结构制作方法，包括形成鳍结构图形；在衬底上刻蚀形成鳍结构后，去除光阻并清洁；各鳍结构顶部自上而下依次形成有硬掩膜氧化层、有源区衬垫氮化硅层和有源区衬垫氧化层；修复刻蚀造成的缺陷；淀积第一次填充种子层；第一次填充将鳍结构覆盖；第一次平坦化去除硬掩膜氧化层直至有源区衬垫氮化硅层；对鳍结构进行修整，使鳍结构仅存在于有源区的正上方；第二次填充将鳍结构覆盖；第二次平坦化；掩膜去除和清洁；回刻蚀露出鳍结构上部；在鳍结构上部形成栅氧化层。本发明鳍结构下部存在填充结构能有效减少鳍式晶体管鳍体的弯曲，可以提升器件漏电流的稳定性，进而能够提升器件性能稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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