[发明专利]一种具有内嵌肖特基二极管的RC-LIGBT器件有效
| 申请号： | 202010135094.9 | 申请日： | 2020-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN111403385B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 易波;赵青;蔺佳;杨瑞丰;侯云如;黄东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/07 | 分类号： | H01L27/07;H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，涉及高压横向半导体器件，具体为一种具有内嵌肖特基二极管的RC‑LIGBT器件。本发明中，通过在集电极一侧引入N型欧姆接触区、浮空电极以及P型肖特基二极管，在反向工作状态下形成由两个串联二极管组成的载流子流通路径，使得器件具有反向导通的能力；同时，当器件工作在正向状态时，P型肖特基二极管不会开启，从而消除了电压折回现象。更重要的是，本发明在实现反向导通和消除电压折回现象的同时缩短了器件的长度，从而大幅度的提升了器件的性能：增强了器件的反向恢复特性、使得器件具有更短的反向恢时间，减小了器件的导通压降、优化了IGBT器件导通压降和关断损耗之间的矛盾关系。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 内嵌肖特基 二极管 rc ligbt 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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