[发明专利]具有磷和砷共掺杂剂的源极或漏极结构

摘要

描述了具有带有磷和砷共掺杂剂的源极或漏极结构的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括具有下部鳍状物部分和上部鳍状物部分的鳍状物。栅极堆叠体在鳍状物的上部鳍状物部分之上，该栅极堆叠体具有与第二侧相对的第一侧。第一源极或漏极结构包括在栅极堆叠体的第一侧嵌入在鳍状物中的外延结构。第二源极或漏极结构包括在栅极堆叠体的第二侧嵌入在鳍状物中的外延结构。第一和第二源极或漏极结构包括硅、磷和砷，其中磷的原子浓度与砷的原子浓度基本上相同。