[发明专利]一种面发射半导体激光芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202010125333.2 | 申请日： | 2020-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN111262131B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 王智勇;王聪聪;李冲;兰天 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187;H01S5/042;H01S5/42;H01S5/024 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 王维新 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种面发射半导体激光芯片及其制备方法，该半导体激光芯片是从衬底层底发射激光的面发射两维阵列光源芯片，两个相邻光源中心间距相等；芯片由下往上依次设有衬底层、前镜、有源层、氧化光学限制层、后镜、欧姆接触层；衬底层厚度与面发射阵列光源间距和激光波长满足Talbot关系式；欧姆接触层顶部制作第一电极；第一电极与欧姆接触层不接触的位置制作钝化层；衬底层出光侧相对应氧化光学限制层的氧化孔径位置制作凹槽结构，并在衬底层凹槽位置制作第二电极，第二电极与欧姆接触层顶部第一电极电性相反；衬底层出光面非电极位置镀半反半透膜并在此位置处出射激光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 半导体 激光 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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