[发明专利]半导体处理有效
| 申请号： | 202010125216.6 | 申请日： | 2020-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN111811223B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | S·科尔克马兹;S·萨帕;J·A·伊莫尼吉;A·赛伊迪·瓦赫达 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | F26B7/00 | 分类号： | F26B7/00;H01L23/64;H01L21/67;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体处理，且更确切地说涉及描述了与(例如，电容器支撑结构的)半导体处理相关的方法、设备和系统。实例方法包含图案化半导体衬底的表面以具有第一硅酸盐材料、在所述第一硅酸盐材料上方的氮化物材料，以及在所述氮化物材料上方的第二硅酸盐材料。所述方法进一步包含移除所述第一硅酸盐材料和所述第二硅酸盐材料并且留下所述氮化物材料作为用于从电容器材料形成的列的支撑结构。所述方法进一步包含在所述第一和第二硅酸盐材料的移除之后在所述列上执行超临界干燥，以相对于在所述第一和第二硅酸盐材料的所述移除之后以其它方式干燥所述列减小所述列摆动的概率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 | ||
【主权项】：
暂无信息
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