[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010107182.8 | 申请日： | 2020-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN112420851A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 新井雅俊 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供能够降低关断时的漏电流的半导体装置。实施方式的半导体装置，包括：第1导电型的半导体部；在上述半导体部的背面上设置的第1电极；在上述半导体部的表面上设置的第2电极；第2导电型的第1半导体层，配置于在上述半导体部的上述表面侧设置的沟槽的内部；及绝缘层，设置于上述沟槽的内部，将上述第1半导体层从上述半导体部电绝缘。上述第2电极经由具有整流性的接触面而连接于上述半导体部，与上述第1半导体层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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