[发明专利]一种电荷俘获型存储器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种电荷俘获型存储器，包括硅衬底、隧穿层、电荷俘获层、阻挡层、电极以及形成于衬底上的源极和漏极。存储器的制备方法包括以下步骤：在硅衬底上形成源极和漏极；于载流子沟道顶部生长隧穿层；在隧穿层顶部沉积电荷俘获层；在电荷俘获层上沉积Al2O3作为阻挡层；在阻挡层顶部覆盖电极。本发明通过引入原子掺杂形成多元氧化物电荷存储层，获得了大的存储窗口，同时，器件其他方面的性能没有被牺牲，利于广泛应用。