[发明专利]半导体工艺反应腔室有效
| 申请号： | 202010097883.8 | 申请日： | 2020-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN111276384B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 王伟 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳;高翠花 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体工艺反应腔室，其包括：出气端，所述出气端设有一出气口；至少一气体吹扫管路，与所述出气口的侧壁连通，用于将具有一设定压强的气体自所述出气口的侧壁输入至所述出气口内，所述气体在所述出气口侧壁表面形成气层。本发明的优点在于，在所述出气口的侧壁上形成气层，所述气层能够防止所述反应副产物在所述出气口的侧壁堆积，从而避免堆积物对反应腔室内进行的半导体工艺产生影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 反应 | ||
【主权项】：
暂无信息
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