[发明专利]MEMS器件封装方法及封装结构在审
| 申请号： | 202010093211.X | 申请日： | 2020-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN113336187A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 王晓东;刘国安 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MEMS器件封装方法及封装结构，在所述器件晶圆的表面上覆盖键合介质层之后且在刻蚀键合介质层以形成电极沟槽之前，先对所述键合介质层的顶面进行平坦化，由此可以改善键合介质层用于键合的表面的平整度，避免键合后的盖板晶圆和相应的键合界面之间产生空洞，由此降低后续在去除两晶圆之间的键合介质层时对键合界面处的键合介质层的侧向刻蚀量，继而保证键合可靠性，避免盖板晶圆剥离。而且，由于使用剥离工艺来在电极沟槽中形成电极，由此可以在键合前能省去电极层刻蚀的步骤，且形成的电极的顶部上不再覆盖有多余的键合介质层，由此简化了工艺并降低了成本，且还可以保证电极的形成不会影响在先形成的键合介质层的表面平整度。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 封装 方法 结构 | ||
【主权项】：
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